| 2441 |
чип инд BLM21BD102SN1D |
3550 |
3,48 |
|
| 2442 |
чип инд BLM21BD182SN1D |
300 |
6,09 |
|
| 2443 |
чип инд BLM21PG221SN1D |
900 |
1,30 |
|
| 2444 |
чип инд BLM21PG300SN1D (30 Ом) |
3800 |
2,18 |
|
| 2445 |
чип инд BLM21PG331SN1D (330 Ом) |
600 |
3,05 |
|
| 2446 |
чип инд BLM31AJ601SN1L 600 Ом 1206 |
100 |
6,96 |
|
| 2447 |
чип инд CLH1005T-1N0S-N, 1,0 нГн 0402 |
18200 |
0,43 |
|
| 2448 |
чип инд CLH1005T-2N0S-N, 2,0 нГн 0402 |
19900 |
0,38 |
|
| 2449 |
чип инд CLH1005T-3N0S-N, 3,0 нГн 0402 |
17600 |
0,38 |
|
| 2450 |
чип инд CLH1005T-3N9K-N, 3,9 нГн 0402 |
100 |
1,65 |
|
| 2451 |
чип инд CLH1608T-12NJ-N, 12 нГн, 0.6 А, 0603 |
4000 |
2,06 |
|
| 2452 |
чип инд CLH1608T-33NJ-S, 33 нГн, 0603 |
8000 |
2,06 |
|
| 2453 |
чип инд CM322522-100KL, 10 мкГн, 1210. 10% |
1547 |
7,57 |
|
| 2454 |
чип инд CM453232-100KL, 10 мкГн 10% 1812 |
500 |
14,01 |
|
| 2455 |
чип инд CM453232-470K, 47 мкГн 10%, 1812 |
40 |
10,70 |
|
| 2456 |
чип инд CS0805-82NJ-N 82 нГн ±5% 0805 |
4 |
2,58 |
|
| 2457 |
чип инд DFE252010F-4R7M=P2, 4,7мкГн 20% 1008 |
10 |
35,24 |
|
| 2458 |
чип инд ELJ-NA82NMF, 0,082 мкГн, 1210 |
1850 |
4,05 |
|
| 2459 |
чип инд IHLP6767GZER100M 10 мкГн 20% 6767 |
2 |
360,18 |
|
| 2460 |
чип инд LH1608N3N3NJTX4 3,3 нГн 10% 0603 |
7500 |
2,96 |
|