| 2081 |
чип инд BLM21BD182SN1D |
300 |
7,42 |
|
| 2082 |
чип инд BLM21PG221SN1D |
1400 |
1,30 |
|
| 2083 |
чип инд BLM21PG300SN1D (30 Ом) |
3800 |
2,65 |
|
| 2084 |
чип инд BLM21PG331SN1D (330 Ом) |
170 |
3,45 |
|
| 2085 |
чип инд BLM31AJ601SN1L 600 Ом 1206 |
100 |
8,48 |
|
| 2086 |
чип инд CLH1005T-1N0S-N, 1,0 нГн 0402 |
18200 |
0,52 |
|
| 2087 |
чип инд CLH1005T-2N0S-N, 2,0 нГн 0402 |
19900 |
0,47 |
|
| 2088 |
чип инд CLH1005T-3N0S-N, 3,0 нГн 0402 |
17600 |
0,47 |
|
| 2089 |
чип инд CLH1005T-3N9K-N, 3,9 нГн 0402 |
100 |
2,01 |
|
| 2090 |
чип инд CM322522-100KL, 10 мкГн, 1210. 10% |
1547 |
9,22 |
|
| 2091 |
чип инд CM453232-100KL, 10 мкГн 10% 1812 |
1000 |
17,07 |
|
| 2092 |
чип инд CM453232-470K, 47 мкГн 10%, 1812 |
40 |
13,04 |
|
| 2093 |
чип инд DFE252010F-4R7M=P2, 4,7мкГн 20% 1008 |
10 |
42,93 |
|
| 2094 |
чип инд ELJ-NA82NMF, 0,082 мкГн, 1210 |
1850 |
4,05 |
|
| 2095 |
чип инд IHLP6767GZER100M 10 мкГн 20% 6767 |
2 |
438,84 |
|
| 2096 |
чип инд LH1608N3N3NJTX4 3,3 нГн 10% 0603 |
7500 |
3,60 |
|
| 2097 |
чип инд LL2012N100KT 10 мкГн 10% 0805 |
1200 |
4,13 |
|
| 2098 |
чип инд LL2012N120KT 12 мкГн 10% 0805 |
2500 |
4,13 |
|
| 2099 |
чип инд LL2012NR12KT 0,12 мкГн 10% 0805 |
14700 |
2,97 |
|
| 2100 |
чип инд LQG15HN2N4S02D, 2,4 нГн 0402 |
10000 |
1,38 |
|