2081 |
чип инд BLM21BD182SN1D |
300 |
5,88 |
|
2082 |
чип инд BLM21PG221SN1D |
900 |
1,30 |
|
2083 |
чип инд BLM21PG300SN1D (30 Ом) |
3800 |
2,10 |
|
2084 |
чип инд BLM21PG331SN1D (330 Ом) |
140 |
2,94 |
|
2085 |
чип инд BLM31AJ601SN1L 600 Ом 1206 |
100 |
6,72 |
|
2086 |
чип инд CLH1005T-1N0S-N, 1,0 нГн 0402 |
18200 |
0,41 |
|
2087 |
чип инд CLH1005T-2N0S-N, 2,0 нГн 0402 |
19900 |
0,37 |
|
2088 |
чип инд CLH1005T-3N0S-N, 3,0 нГн 0402 |
17600 |
0,37 |
|
2089 |
чип инд CLH1005T-3N9K-N, 3,9 нГн 0402 |
100 |
1,60 |
|
2090 |
чип инд CM322522-100KL, 10 мкГн, 1210. 10% |
1547 |
7,31 |
|
2091 |
чип инд CM453232-100KL, 10 мкГн 10% 1812 |
500 |
13,52 |
|
2092 |
чип инд CM453232-470K, 47 мкГн 10%, 1812 |
40 |
10,33 |
|
2093 |
чип инд CS0805-82NJ-N 82 нГн ±5% 0805 |
4 |
2,49 |
|
2094 |
чип инд DFE252010F-4R7M=P2, 4,7мкГн 20% 1008 |
10 |
34,02 |
|
2095 |
чип инд ELJ-NA82NMF, 0,082 мкГн, 1210 |
1850 |
4,05 |
|
2096 |
чип инд IHLP6767GZER100M 10 мкГн 20% 6767 |
2 |
347,76 |
|
2097 |
чип инд LH1608N3N3NJTX4 3,3 нГн 10% 0603 |
7500 |
2,86 |
|
2098 |
чип инд LL2012N100KT 10 мкГн 10% 0805 |
1200 |
3,28 |
|
2099 |
чип инд LL2012N120KT 12 мкГн 10% 0805 |
2500 |
3,28 |
|
2100 |
чип инд LL2012NR12KT 0,12 мкГн 10% 0805 |
14700 |
2,35 |
|